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    小蜜蜂家族
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    特性
    产品参数
    文档
    参考设计
    设计资源
    购买咨询
    小蜜蜂家族
    特性

    低功耗、低成本、瞬时启动、高安全性的非易失性可编辑逻辑器件。


    俄罗斯专享会半导体GW1N系列产品是俄罗斯专享会半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代产品,具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。


    俄罗斯专享会半导体 GW1N 系列 FPGA 产品(车规级)是俄罗斯专享会半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代产品,具有较丰富的逻辑资源,支持多种 I/O 电平标准,内嵌块状静态随机存储器、数 字信号处理模块、锁相环资源,此外,内嵌 Flash 资源,是一款具有非易失性的 FPGA 产品,具有低功耗、瞬时启动、低成本、高安全性 、产品尺寸小、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。


    俄罗斯专享会半导体 GW1NR系列产品是一款系统级封装芯片,在 GW1N 基础上集成 了丰富容量的 SDRAM 存储芯片,同时具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。


    俄罗斯专享会半导体 GW1NS系列包括SoC产品(封装前带“C”的器件)和非SoC产 品(封装前不带“C”的器件)。SoC产品内嵌 ARM Cortex-M3硬核处理器,而非SoC产品内部没有ARM Cortex-M3 硬核处理器。此外, GW1NS系列产品内嵌用户闪存。以 ARM Cortex-M3 硬核处理器为核心,具备了实现系统功能所需要的最小内存;内嵌的逻辑模块单元方便灵活,可实现多种外设控制功能,能提供 出色的计算功能和异常系统响应中断,具有高性能、低功耗、管脚数量少、使用灵活、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型 丰富等特点。GW1NS 系列 SoC产品实现了可编程逻辑器件和嵌入式处理器的无缝连接,兼容多种外围器件标准,可大幅降低用户成本,可广 泛应用于工业控制、通信、物联网、伺服驱动、消费等多个领域。


    俄罗斯专享会半导体 GW1NZ系列产品是俄罗斯专享会半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一 代低功耗产品,具有低功耗、低成本、瞬时启动、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点,可广泛应用于通信、工业控 制、消费类、视频监控等领域。


    俄罗斯专享会半导体 GW1NZ 系列 FPGA 产品(车规级)是俄罗斯专享会半导体小蜜蜂® (LittleBee®)家族第一代低功耗产品,具有低功耗、低成本、瞬时启动、非易 失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点,可广泛应用于通信、 工业控制、消费类、视频监控等领域。


    俄罗斯专享会半导体GW1NSR系列产品是俄罗斯专享会半导体小蜜蜂®(LittleBee®)家族第一代可编辑逻辑器件产品,是一款系统级封装芯片,内部集成了 GW1NS系列可编辑逻辑器件产品和PSRAM存储芯片。此外 ,GW1NSR系列产品内嵌用户闪存。


    GW1NSE安全芯片产品提供嵌入式安全元件,支持基于PUF技术的信任根。 每个设备在出厂时都配有一个永远不会暴露在设备外部的唯一密钥。高安全性特性使得GW1NSE适用于各种消费和工业物联网,边缘和服务器 管理应用。

    GW1NSER 系列安全芯片产品与 GW1NSR 系列产品具有相同的硬件组成单元,唯一的区别是在制造过程中,在 GW1NSER 系列安全芯片产 品内部非易失性 User Flash 中提前存储了一次性编程(OTP)认证码。具有该认证码的器件可用于实现加密、解密、密钥/公钥生成、安全 通信等应用。


    俄罗斯专享会半导体 GW1NRF 系列蓝牙 FPGA 产品是一款系统级封装芯片,是一 款 SoC 芯片。器件以 32 位硬核微处理器 为核心,支持蓝牙 5.0 低功耗射频功能,具有丰富的逻辑单元、内嵌 B-SRAM 和 DSP 资源,IO 资源丰富,系统内部有电源管理模块和安全加密模块。具 有高性能、低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰 富、使用方便灵活等特点。


    小蜜蜂

家族


    优势
    特性

    低功耗

    -   55nm 嵌入式闪存工艺

    -   LV 版本:支持 1.2V 核电压

    -   UV 版本:支持器件 VCC/ VCCO/ VCCx统一供电

    注!GW1N-1S 仅支持 LV 版本;

    -   支持时钟动态打开/关闭

    用户闪存资源

    (GW1N-1 和 GW1N-1S)

    -   100,000次写寿命周期

    -   超过10年的数据保存能力(+85℃)

    -   可选的数据输入输出位宽8/16/32

    -   页存储空间:256 Bytes

    -   3μA旁路电流

    -   页写入时间:8.2ms

    用户闪存资源

    (GW1N-1P5/2/4/9)

    -   10,000 次写寿命周期

    -   超过10年的数据保存能力(+85℃)

    -   数据位宽:32

    -   GW1N-1/1P5/1S/2 存储容量:96K bits

    -   GW1N-4 存储容量:256K bits

    -   GW1N-9 存储容量:608K bits

    -   页擦除能力:2,048 bytes

    -   字编程时间:≤16μs

    -   页擦除时间:≤120ms

    配置闪存资源

    (GW1N-1 和 GW1N-1S)

    -   100,000 次写寿命周期

    -   超过10年的数据保存能力(+85℃)

    配置闪存资源

    (GW1N-1P5/2/4/9)

    -   10,000 次写寿命周期

    -   超过10年的数据保存能力(+85℃)

    硬核 MIPI D-PHY RX(GW1N-2)

    -   支持 MIPI DSI 和 MIPI CSI-2 RX 器件接口

    -   CS42 封装中 IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX

    -   MIPI 传输速率单通道可达 2Gbps

    -   支持最多四个数据通道和一个时钟通道

    GPIO 支持 MIPI D-PHY RX/TX

    -   支持 MIPI CSI-2 和 MIPI DSI,RX 和 TX 器件接口,传输速率单通道可达 1.2Gbps

    -   GW1N-1S 器件的 Bank0/Bank1 支持 MIPI IO 输入

    -   GW1N-2/GW1N-1P5 器件的 Bank0/Bank3/Bank4/Bank5 支持 MIPI IO 输出(支持动态 ODT)

    -   GW1N-2/GW1N-1P5 器件的 Bank2 支持 MIPI IO 输入(支持动态ODT)

    -   GW1N-9 器件 Bank0 支持 MIPI IO 输入(支持动态 ODT)

    -   GW1N-9 器件 Bottom 层支持 MIPI IO 输出

    -   GW1N-9 器件 Top 层和 Bottom 层 I/O 支持 I3C

    支持多种I/O电平标准

    -    LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I,SSTL33/25/18 II,SSTL15;HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I; PCI,LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE,MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

    -    提供输入信号迟滞选项

    -    支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

    -    提供输出信号驱动电流选项

    -    对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

    -    支持热插拔

    高性能DSP模块(GW1N-4/9)

    -   高性能数字信号处理能力

    -   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

    -   支持多个乘法器级联

    -   支持寄存器流水线和旁路功能

    -   预加运算实现滤波器功能

    -   支持桶形移位寄存器

    丰富的基本逻辑单元

    -   4输入LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器和分布式存储器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    -   支持字节写使能

    灵活的PLL资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    内置Flash编程

    -   瞬时启动

    -   支持安全位操作

    -   支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

    编程配置模式

    -   支持JTAG配置模式

    -   支持背景升级

    -   支持多达7种GowinCONFIG配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT、I2C Slave

    优势
    特性

    用户闪存资源

    (GW1N-2/4)

    -   10,000 次写寿命周期

    -   超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

    -   数据位宽:32

    -   行存储容量:256-Byte

    -   页擦除能力:2,048-Byte

    -   字编程时间:≤16μs

    -   页擦除时间:≤120ms

    低功耗

    -   55nm 嵌入式闪存工艺

    -   LV 版本:支持 1.2V 核电压

    -   支持时钟动态打开/关闭

    支持多种I/O电平标准

    -   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, SSTL33/25/18 II,SSTL15;HSTL18 I ,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI,LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE

    MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

    -   提供输入信号迟滞选项

    -   支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

    -   提供输出信号驱动电流选项

    -   对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

    -   支持热插拔

    高性能DSP模块

    -   高性能数字信号处理能力

    -   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

    -   支持多个乘法器级联

    -   支持寄存器流水线和旁路功能

    -   预加运算实现滤波器功能

    -   支持桶形移位寄存器

    丰富的基本逻辑单元

    -   4输入LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器和分布式存储器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    -   支持字节写使能

    灵活的PLL资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    内置Flash编程

    -   瞬时启动

    -   支持安全位操作

    -   支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

    编程配置模式

    -   支持JTAG配置模式

    -   支持背景升级

    -   支持多达7种GowinCONFIG配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT、I2C Slave

    优势
    特性

    低功耗

    -   55nm 嵌入式闪存工艺

    -   LV 版本:支持 1.2V 核电压

    -   UV 版本:内置线性稳压单元,支持 2.5V/3.3V 供电电压

    -   支持时钟动态打开/关闭

    用户闪存资源

    (GW1NR-1)

    -   100,000 次写寿命周期

    -   超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

    -   可选的数据输入输出位宽 8/16/32

    -   页存储空间:256-Byte

    -   3μA 旁路电流

    -   页写入时间:8.2ms

    用户闪存资源

    (GW1NR-2/4/9)

    -   10,000 次写寿命周期

    -   超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

    -   数据位宽 32

    -   GW1NR-2 行存储容量:96K bits

    -   GW1NR-4 行存储容量:256K bits

    -   GW1NR-9 行存储容量:608K bits

    -   页擦除能力:2,048 bytes

    -   字编程时间:≤16μs

    -   页擦除时间:≤120ms

    配置闪存资源

    (GW1NR-1)

    -   100,000 次写寿命周期

    -   超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

    配置闪存资源

    (GW1NR-2/4/9)

    -   10,000 次写寿命周期

    -   超过 10 年的数据保存能力(+85℃)


    集成 SDRAM/ PSRAM/ NOR FLASH 存储芯片



    硬核 MIPI D-PHY RX(GW1NR-2)

    -   支持 MIPI DSI 和 MIPI CSI-2 RX 器件接口

    -   IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX

    -   MIPI 传输速率可达 2Gbps

    -   支持最多四个数据通道和一个时钟通道

    多功能高速 FPGA IO 支持 MIPI D-PHY RX/TX(GW1NR-2)

    -   支持 MIPI CSI-2 和 DSI,RX 和 TX 器件接口,传输速率可达 1.5Gbps

    -   IO Bank0、IO Bank3、IO Bank4、IO Bank5 支持 MIPI D-PHY TX

    -   IO Bank2 支持 MIPI D-PHY RX

    支持多种 I/O 电平标准

    -   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, SSTL33/25/18 II,
     SSTL15;HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI, LVDS25,RSDS,LVDS25E,
     BLVDSE MLVDSE, LVPECLE,RSDSE

    -   提供输入信号迟滞选项

    -   支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

    -   提供输出信号驱动电流选项

    -   对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

    -   支持热插拔

    -   GW1NR-9 器件 BANK0 支持 MIPI I/O 输入,MIPI 传输速率可达1.2Gbps

    -   GGW1NR-9 器件 BANK2 支持 MIPI I/O 输出,MIPI 传输速率可达1.2Gbps

    -   GW1NR-9 器件 BANK0 和 BANK2 支持 I3C OpenDrain/PushPull转换

    高性能DSP模块

    -   高性能数字信号处理能力

    -   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

    -   支持多个乘法器级联

    -   支持寄存器流水线和旁路功能

    -   预加运算实现滤波器功能

    -   支持桶形移位寄存器

    丰富的基本逻辑单元

    -   4输入LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器和分布式存储器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    -   支持字节写使能

    灵活的PLL资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    内置Flash编程

    -   瞬时启动

    -   支持安全位操作

    -   支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

    编程配置模式

    -   支持JTAG配置模式

    -   支持多达6种GowinCONFIG配置模式:

     AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

    优势
    特性

    低功耗

    -   55nm 嵌入式闪存工艺

    -   核电压:1.2V

    -   支持 LV 版本

    -   支持时钟动态打开/关闭

    硬核微处理器

    -   Cortex-M3 32-bit RISC 内核

    -   ARM3v7M 架构,针对小封装嵌入式应用方案进行了优化

    -   系统定时器,提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器,
     具有灵活的控制机制

    -  Thumb 兼容,Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度 

    -  最高 80MHz 的工作频率 

    -  硬件除法和单周期乘法 

    -  集成 NVIC,提供确定性中断处理 

    -  26 个中断,具有 8 个优先级

    -  内存保护单元,提供特权模式来保护操作系统的功能 

    -  非对齐数据访问,数据能够更高效的装入内存 

    -  Bit-banding,精确的位操作,最大限度的利用了存储空间,改善了

    对外设的控制 

    -  Timer0 和 Timer1 

    -  UART0 和 UART1 

    -  watchdog 

    -  调试端口:JTAG 和TPIU

    用户闪存资源

    -  32K Byte 存储空间 

    -  32-bit 数据位宽

    支持多种 I/O 电平标准

    -  LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I,

    SSTL33/25/18 II,SSTL15;HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI,

    LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE

    -  MLVDSE,LVPECLE,RSDSE 

    -  提供输入信号迟滞选项 

    -  支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 

    -  提供输出信号驱动电流选项 

    -  对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项  

    - 支持热插拔 

    -  BANK0 支持 MIPI 输入 

    -  BANK2 支持 MIPI 输出 

    -  BANK0 和 BANK2 支持 I3C

    丰富的基本逻辑单元

    -  4 输入 LUT(LUT4) 

    -  支持移位寄存器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -  支持双端口、单端口以及伪双端口模式 

    灵活的 PLL 资源

    -  实现时钟的倍频、分频和相移

    -  全局时钟网络资源 

    内置 Flash 编程

    -  瞬时启动

    -  支持安全位操作

    -  支持 AUTO BOOT 和DUAL BOOT 编程模式

    编程配置模式

    -  支持 JTAG 配置模式

    -  支持片内 DUAL BOOT 配置模式

    -  支持多种 GowinCONFIG 配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

    优势
    特性

    零功耗

    -  55nm 嵌入式闪存工艺

    -  LV 版本:支持 1.2V 核电压

    -  ZV 版本:支持 0.9V 核电压 

    -  支持时钟动态打开/关闭

    -  支持动态打开/关闭用户闪存

    电源管理模块(GW1NZ-1)

    -  SPMI:系统电源管理接口

    -  器件内部 VCC 和 VCCM 各自独立

    用户闪存资源(GW1NZ-1)

    -  NOR Flash

    -  支持动态打开或关闭

    -  存储容量:64K bits

    -  数据位宽:32

    -  10,000 次写寿命周期

    -  超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

    -  支持页擦除:一页 2048 字节

    -  读时间:最大 25ns

    -  电流

            读操作: 2.19mA/25ns (VCC) & 0.5mA/25ns (VCCX) (Max) 

            写操作/擦除操作:12/12mA (Max)

    -  快速页擦除/写操作 

    -  时钟频率:40MHz 

    -  字写操作时间:≤16μs 

    -  页擦除时间:≤120ms 

    用户闪存资源(GW1NZ-2)

    -  10,000 次写寿命周期

    -  超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

    -  数据位宽:32

    -  存储容量:96K bits

    -  页擦除能力:2,048-Byte

    -  字写操作时间:≤16μs 

    -  页擦除时间:≤120ms 

    配置闪存资源(GW1NZ-1)

    -  NOR Flash

    -  10,000 次写寿命周期

    -  超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

    配置闪存资源(GW1NZ-2)

    -  NOR Flash

    -  10,000 次写寿命周期

    -  超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

    MIPI D-PHY RX 硬核(GW1NZ-2)

    -  支持 MIPI CSI-2 和 DSI,RX 器件接口

    -  IO Bank6 支持 MIPI D-PHY RX

    -  MIPI 传输速率单通道可达 2Gbps

    -  支持最多四个数据通道和一个时钟通道

    GPIO 支持以 MIPI IO 模式实现 MIPI D-PHY RX/TX(GW1NZ-2)

    -  支持 MIPI CSI-2 和 DSI,RX 和 TX 器件接口

    -  IO Bank0、IO Bank3、IO Bank4、IO Bank5 支持 MIPI D-PHY TX,传输单通道速率可达 1.2Gbps

    -  IO Bank2 支持 MIPI D-PHY RX,传输速率单通道可达 1.2Gbps

    支持多种 I/O 电平标准

    -  GW1NZ-1:LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33, PCI,

    LVDS25E,BLVDSE,MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

    -  GW1NZ-2:LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I,

    SSTL33/25/18 II,SSTL15;HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI,

    LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE,MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

    - 提供输入信号迟滞选项 

    - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 

    - 提供输出信号驱动电流选项 

    - 对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain 输出选项 

    - 支持热插拔 

    - I3C 硬核,支持 SDR 模式

    - 只支持差分输出,不支持差分输入

    丰富的基本逻辑单元

    -   4输入LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器和分布式存储器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    灵活的PLL资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    内置Flash编程

    -   瞬时启动

    -   支持安全位操作

    -   支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

    编程配置模式

    -   支持JTAG配置模式

    -   支持多达6种GowinCONFIG配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

    优势
    特性

    零功耗

    -  55nm 嵌入式闪存工艺

    -  LV 版本:支持 1.2V 核电压

    -  支持时钟动态打开/关闭

    -  支持动态打开/关闭用户闪存

    电源管理模块(GW1NZ-1)

    -  SPMI:系统电源管理接口

    -  器件内部 VCC 和 VCCM 各自独立

    用户闪存资源(GW1NZ-1)

    -  支持动态打开或关闭

    -  64K bits

    -  数据位宽:32

    -  10,000 次写寿命周期

    -  超过 10 年的数据保存能力(+85℃)

    -  支持页擦除:一页 2048 字节

    -  读时间:最大 25ns

    -  电流

            读操作: 2.19mA/25ns (VCC) & 0.5mA/25ns (VCCX) (Max) 

            写操作/擦除操作:12/12mA (Max)

    -  快速页擦除/写操作 

    -  时钟频率:40MHz 

    -  字写操作时间:≤16μs 

    -  页擦除时间:≤120ms 

    支持多种 I/O 电平标准

    -  GW1NZ-1:LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33, PCI,

    LVDS25E,BLVDSE,MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

    - 提供输入信号迟滞选项 

    - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 

    - 提供输出信号驱动电流选项 

    - 对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain 输出选项 

    - 支持热插拔 

    - I3C 硬核,支持 SDR 模式

    - 只支持差分输出,不支持差分输入

    丰富的基本逻辑单元

    -   4输入LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器

    -   分布式存储器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    -   支持字节写使能

    灵活的PLL资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    内置Flash编程

    -   瞬时启动

    -   支持安全位操作

    -   支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

    编程配置模式

    -   支持JTAG配置模式

    -   支持多达6种GowinCONFIG配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

    优势
    特性

    低功耗

    -  55nm 嵌入式闪存工艺

    -  核电压:1.2V

    -  支持 LV 版本

    -  支持时钟动态打开/关闭

    集成 PSRAM 系统级封装芯片


    硬核微处理器

    -  Cortex-M3 32-bit RISC 内核

    -  ARM3v7M 架构,针对小封装嵌入式应用方案进行了优化

    -  系统定时器,提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器,具有灵活的控制机制

    -  Thumb 兼容,Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度

    -  最高 80MHz 的工作频率

    -  硬件除法和单周期乘法

    -  集成 NVIC,提供确定性中断处理

    -  26 个中断,具有 8 个优先级

    -  内存保护单元,提供特权模式来保护操作系统的功能

    -  非对齐数据访问,数据能够更高效的装入内存

    -  Bit-banding,精确的位操作,最大限度的利用了存储空间,改善了对外设的控制

    -  UART0 和 UART1

    -  watchdog

    -  调试端口:JTAG 和 TPIU

    用户闪存资源

    -   32K Byte 存储空间

    -   32-bit 数据位宽

    支持多种 I/O 电平标准

    -  LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I,SSTL33/25/18 II,

    SSTL15;HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI,LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE

    -   MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

    -   提供输入信号迟滞选项

    -   支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

    -   提供输出信号驱动电流选项

    -   对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项

    -   支持热插拔

    -   BANK0 支持 MIPI 输入

    -   BANK2 支持 MIPI 输出

    -   BANK0 和 BANK2 支持 I3C

    丰富的基本逻辑单元

    -   4 输入 LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    灵活的 PLL 资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    内置 Flash 编程

    -   瞬时启动

    -   支持安全位操作

    -   支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 编程模式

    编程配置模式

    -   支持 JTAG 配置模式

    -   支持片内 DUAL BOOT 配置模式

    -   支持多种 GowinCONFIG 配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

    俄罗斯专享会安全芯片产品提供了一个基于物理不可克隆功能(PUF)技术的硬件安全根。SRAM Based PUF使用RAM设备的上电行为 来区分芯片。它们几乎不可能被复制、克隆或预测,适用于安全密钥的生成和存储、设备身份验证、安全启动、数据加密和芯片资产管理等 应用。SRAM PUF技术已被用于安全保护超过1亿台设备。

    ●SRAM Based PUF

    △无需私钥存储

    △上电时设备密钥恢复

    ●芯片出厂时即可提供

    △Activation, UUID, 证书

    ●低成本,小封装

    △2.5 x 2.5 mm²

    小蜜蜂家族

    小蜜蜂家族

    内置ID Broadkey Pro安全库配有Gowin 安全芯片设备,可以轻松地将常见的安全功能集成到用户应用程序中。这些功能 允许用户创建唯一的设备标识符,为安全引导生成/验证签名,并加密/解密数据。


    ● 器件唯一的密钥

    ● 随机数生成

    ● 椭圆曲线私钥生成和存储

    ● 导入导出公钥

    ● 签名生成和验证

    ● 密钥协议功能

    ● 公钥加密和解密

    小蜜蜂家族


    优势
    特性

    低功耗

    -  55nm 嵌入式闪存工艺

    -  核电压:1.2V

    -  支持 LV 版本

    -  支持时钟动态打开/关闭


    集成 HyperRAM 存储芯片




    集成 NOR FLASH 存储芯片



    硬核微处理器

    -  Cortex-M3 32-bit RISC 内核

    -  ARM3v7M 架构,针对小封装嵌入式应用方案进行了优化

    -  系统定时器,提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器,具有灵活的控制机制

    -  Thumb 兼容,Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度

    -  最高 80MHz 的工作频率

    -  硬件除法和单周期乘法

    -  集成 NVIC,提供确定性中断处理

    -  26 个中断,具有 8 个优先级

    -  内存保护单元,提供特权模式来保护操作系统的功能

    -  非对齐数据访问,数据能够更高效的装入内存

    -  Bit-banding,精确的位操作,最大限度的利用了存储空间,改善了对外设的控制

    -  Timer0 和 Timer1

    -  UART0 和 UART1

    -  watchdog

    -  调试端口:JTAG 和 TPIU


    提供 OTP 认证码



    用户闪存资源

    -  256Kb 存储空间

    -  32-bit 数据位宽

    支持多种 I/O 电平标准

    -   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I,
    SSTL33/25/18 II,SSTL15; HSTL18 I,HSTL18 II,HSTL15 I;PCI,
    LVDS25,RSDS,LVDS25E,BLVDSE

    -   MLVDSE,LVPECLE,RSDSE

    -   提供输入信号迟滞选项

    -   支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

    -   提供输出信号驱动电流选项

    -   对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项

    -   支持热插拔

    -   支持 MIPI 接口

    -   支持 I3C

    丰富的基本逻辑单元

    -   4 输入 LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    灵活的 PLL 资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    内置 Flash 编程

    -   瞬时启动

    -   支持安全位操作

    -   支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 编程模式

    编程配置模式

    -   支持 JTAG 配置模式

    -   支持多种 GowinCONFIG 配置模式:AUTOBOOT、SSPI、MSPI、 CPU、SERIAL

    GW1NRF系列蓝牙可编辑逻辑器件产品高性能、低功耗,集成32bits低功耗 MCU,功耗低至5nA的电源管理单元,及低功耗 蓝牙5.0技术。通过集成具有灵活I/O和异构计算能力的可编辑逻辑器件,进一步拓展了蓝牙设备的灵活性。


    ● 集成低功耗蓝牙5.0技术

    ● 内嵌32bits低功耗ARC处理器

    △ 136kB ROM

    △ 128kB OTP for power efficiency :128KB OTP

    △ 48kB IRAM and 28kB DRAM

    ● 电源管理单元

    △ 芯片不使能时电流5nA1

    △ 休眠模式时电流1.0uA1

    △ 处理器和可编辑逻辑器件同时工作时电流<5mA

    ● 安全特性

    △ TRNG

    △ AES-128硬核加密

    △ ECC-P256密钥生成器


    注1:不包括外部调节器在待机状态下的漏电流


    产品参数
    JS Bin

    器件

    GW1N- 1

    GW1N- 2

    GW1N- 4

    GW1N- 9

    GW1N- 1S

    GW1N-1P5

    逻辑单元(LUT)

    1152

    2304

    4608

    8640

    1152

    1584

    寄存器(FF)

    864

    2016

    3456

    6480

    864

    1584

    分布式静态随机 存储器 S-SRAM(bits)

    0

    18432

    0

    17280

    0

    12672

    块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

    72K

    72K

    180K

    468K

    72K

    72K

    块状静态随机存 储器数目 B-SRAM(个)

    4

    4

    10

    26

    4

    4

    用户闪存- bits

    96K

    96K

    256K

    608K

    96K

    96K

    乘法器(18x18 Multiplier)

    0

    0

    16

    20

    0

    0

    锁相环(PLLs)

    1

    1

    2

    2

    1

    1

    I/O Bank 总数

    4

    6注 2

    4

    4

    3

    6

    最多用户 I/O

    120

    125

    218

    276

    44

    125

    核电压(LV 版本 )

    1.2V

    1.2V

    1.2V

    1.2V

    1.2V

    1.2V

    核电压(UV 版本 )

    1.8V/2.5V/3.3V  注1

    1.8V/2.5V/3.3V

    2.5V/3.3V  注6

    2.5V/3.3V  注6

    -

    1.8V/2.5V/3.3V

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    GW1N- 1

    GW1N- 2

    GW1N- 4

    GW1N- 9

    GW1N- 1S

    GW1N-1P5

    CS30

    0.4

    2.3x2.4

    24

    -

    -

    -

    23

    -

    QN32

    0.5

    5x5

    26

    21(1)

    24(3)

    -

    -

    -

    QN32X

    0.5

    5x5

    -

    21(1)

    -

    -

    -

    -

    FN32

    0.4

    4x4

    -

    -

    -

    -

    25

    -

    CS42

    0.4

    2.4x2.9

    -

    24(7)

    -

    -

    -

    -

    CS42H

    0.4

    2.4x2.9

    -

    36(3)

    -

    -

    -

    -

    QN48

    0.4

    6x6

    41

    40(12)

    40(9)

    40(12)

    -

    -

    QN48H

    0.4

    6x6

    -

    30(8)

    -

    -

    -

    -

    QN48F

    0.4

    6x6

    -

    -

    -

    39(11)

    -

    -

    QN48X

    0.5

    7x7

    -

    -

    -

    -

    -

    39(10)

    QN48XF

    0.5

    7x7

    -

    -

    -

    -

    -

    40(11)

    CM64

    0.5

    4.1x4.1

    -

    -

    -

    55(16)注 3

    -

    -

    CS72

    0.4

    3.6x3.3

    -

    -

    57(19)

    -

    -

    -

    CS81M

    0.4

    4.1x4.1

    -

    -

    -

    55(15)

    -

    -

    QN88

    0.4

    10x10

    -

    57(17)

    70(11)

    70(19)

    -

    -

    CS100H

    0.4

    4x4

    -

    88(27)

    -

    -

    -

    -

    LQ100

    0.5

    14x14

    79

    80(15)

    79(13)

    79(20)

    -

    80(16)

    LQ100X

    0.5

    14x14

    -

    80(15)

    -

    -

    -

    80(16)

    LQ144

    0.5

    20x20

    116

    113(28)

    119(22)

    120(28)

    -

    -

    LQ144X

    0.5

    20x20

    -

    113(28)

    -

    -

    -

    -

    LQ144F

    0.5

    20x20

    -

    115(27)

    -

    -

    -

    -

    EQ144

    0.5

    20x20

    -

    -

    -

    120(28)

    -

    -

    MG49

    0.5

    3.8x3.8

    -

    42(11)

    -

    -

    -

    -

    MG100

    0.5

    5x5

    -

    -

    -

    87(25)

    -

    -

    MG100T

    0.5

    5x5

    -

    -

    -

    87(17)

    -

    -

    MG121

    0.5

    6x6

    -

    100(28)

    -

    -

    -

    -

    MG121X

    0.5

    6x6

    -

    100(28)

    -

    -

    -

    -

    MG132

    0.5

    8x8

    -

    104(29)

    -

    -

    -

    -

    MG132H

    0.5

    8x8

    -

    94(29)

    -

    -

    -

    -

    MG132X

    0.5

    8x8

    -

    104(29)

    105(23)

    -

    -

    -

    MG160

    0.5

    8x8

    -

    -

    131(25)

    131(38)

    -

    -

    UG169

    0.8

    11x11

    -

    -

    129(27)

    129(38)

    -

    -

    LQ176

    0.4

    20x20

    -

    -

    -

    147(37)

    -

    -

    EQ176

    0.4

    20x20

    -

    -

    -

    147(37)

    -

    -

    MG196

    0.5

    8x8

    -

    -

    -

    113(35)

    -

    -

    PG256

    1.0

    17x17

    -

    -

    207(32)

    207(36)

    -

    -

    PG256M

    1.0

    17x17

    -

    -

    207(32)

    -

    -

    -

    UG256

    0.8

    14x14

    -

    -

    -

    207(36)

    -

    -

    UG332

    0.8

    17x17

    -

    -

    -

    273(43)

    -

    -

     

    注1:目前GW1N-1器件中仅LQ100X封装支持UV版本,封装兼容性请查阅数据手册。
    注2:GW1N-2 CS42封装的IO Bank 总数为7个。

    注3:GW1N-9 MC64封装只支持LV版本不支持UV版本。

    注4:GW1N-1 CS30和GW1N-1S CS30/FN32仅支持SSPI配置模式。

    注5:对于 GW1N-2 器件,若其 MODE[2]的值固定为 1,则其加载频率只能是2.5MHz。

    注6:对于GW1N-4/GW1N-9 UV版本器件,如果Vcc和Vccx在某封装中共用一个管脚,那么GW1N-4/GW1N-9的Vccx范围(2.5V~3.3V)会将Vcc范围限制为2.5V~3.3V,此时Vcc不支持1.8V。





    器件

    GW1N-2( 车规级)

    GW1N-4( 车规级)

    GW1N-9( 车规级)

    逻辑单元(LUT4)

    2304

    4608

    8640

    寄存器

    2016

    3456

    6480

    分布式静态随机 存储器SSRAM(bits)

    18432

    0

    17280

    块状静态随机存 储器BSRAM(bits)

    72K

    180K

    468K

    块状静态随机存 储器数目BSRAM(个)

    4

    10

    26

    用户闪存(bits)

    96K

    256K

    608K

    乘法器(18 x 18 Multiplier)

    0

    16

    20

    锁相环(PLLs)

    1

    2

    2

    I/O Bank总数

    6

    4

    4

    最大I/O数

    125

    218

    276

    核电压(LV版本 )

    1.2V

    1.2V

    1.2V

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    GW1N-2( 车规级)

    GW1N-4( 车规级)

    GW1N-9( 车规级)

    QN88

    0.4

    10 x 10

    57(17)

    70(11)

    -

    QN60

    0.35

    6 x 6

    -

    -

    44(14)

    注:JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚,JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚(TCK、TDI、TDO、TMS)不可同时复用为 I/O,此表格的数据为JTAG下载的4个引脚复用为I/O时的情况,但当mode[2:0]=001时,JTAGSEL_N管脚与JTAG配置的4个管脚(TCK、TMS、TDI、TDO) 可以同时设置为GPIO,此时最大用户I/O数加1。详细信息请参考GW1N系列FPGA产品(车规级)封 装与管脚手册。





    器件

    GW1NZ-1

    GW1NZ-2

    逻辑单元(LUT4)

    1152

    2304

    寄存器(FF)

    864

    2016

    分布式静态随机存储器 S-SRAM(bits)

    4K

    18432

    块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)

    72K

    72K

    锁相环(PLLs)

    1

    1

    用户闪存-bits

    64K

    96K

    最大I/O数

    48

    125

    核电压(LV版本)

    1.2V

    -

    核电压(ZV版本)

    0.9V

    0.9V/1.0V/1.1V

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    GW1NZ- 1

    GW1NZ- 2

    FN32

    0.4

    4x4

    25

    -

    FN32F

    0.4

    4x4

    25

    -

    CS16

    0.4

    1.8x1.8

    11

    -

    QN48

    0.4

    6x6

    40

    TBD

    CS100H

    TBD

    TBD

    -

    TBD




    器件

    GW1NZ-1( 车规级)

    逻辑单元(LUT4)

    1152

    寄存器

    864

    分布式静态随机 存储器S-SRAM(bits)

    4K

    块状静态随机存 储器BSRAM(bits)

    72K

    锁相环(PLLs)

    1

    用户闪存(bits)

    64K

    最大I/O数

    48

    核电压(LV版本 )

    1.2V

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    GW1NZ-1( 车规级)

    QN48

    0.4

    6 x 6

    39




    器件

    GW1NR- 1

    GW1NR- 2

    GW1NR- 4

    GW1NR- 9

    逻辑单元(LUT)

    1,152

    2,304

    4,608

    8,640

    寄存器(FF)

    864

    2,304
    (FF +Latch,
    其中FF:2016)

    3,456

    6,480

    分布式静态随机 存储器
    S-SRAM(bits)

    0

    0

    0

    17,280

    块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

    72K

    72K

    180K

    468K

    块状静态随机存 储器 B-SRAM(个)

    4

    4

    10

    26

    用户闪存- bits

    96K

    96K

    256K

    608K

    SDR SDRAM (bits)

    -

    -

    64M

    64M

    PSRAM(bits)

    -

    64M(MG49P)
    32M(MG49PG)

    32M(QN88P)
    64M(MG81P)

    64M (QN88P/LQ144P/MG100PT/MG100PS)
    128M(MG100P/MG100PF/mg100pa)

    NOR FLASH (bits)

    4M

    4M
    (MG49G/MG49PG)

    -

    -

    乘法器(18x18 Multiplier)

    0

    0

    16

    20

    锁相环(PLLs)

    1

    1

    2

    2

    I/O Bank 总数

    4

    7

    4

    4

    最大I/O数

    120

    126

    218

    276

    核电压(LV 版本 )

    1.2V

    1.2V

    1.2V

    1.2V

    核电压(UV 版本 )

    -

    1.8V/2.5/3.3V

    2.5/3.3V

    2.5/3.3V

    封装

    器件

    Memory类 型

    容量

    位宽

    QN88

    GW1NR-4

    SDR SDRAM

    64M

    16 bits

    GW1NR-9

    SDR SDRAM

    64M

    16 bits

    QN88P

    GW1NR-4

    PSRAM

    32M

    8 bits

    GW1NR-9

    PSRAM

    64M

    16 bits

    MG81P

    GW1NR-4

    PSRAM

    64M

    16 bits

    MG100P

    GW1NR-9

    PSRAM

    128M

    32 bits

    MG100PF

    GW1NR-9

    PSRAM

    128M

    32 bits

    MG100PA

    GW1NR-9

    PSRAM

    128M

    32 bits

    MG100PT

    GW1NR-9

    PSRAM

    64M

    16 bits

    MG100PS

    GW1NR-9

    PSRAM

    64M

    16 bits

    LQ144P

    GW1NR-9

    PSRAM

    64M

    16 bits


    FN32G
    EQ144G
    QN32X
    QN48X
    LQ100G

    GW1NR-1

    NOR FLASH

    4M

    1 bit

    MG49P

    GW1NR-2

    PSRAM

    64M

    16 bits

    MG49G

    GW1NR-2

    NOR FLASH

    4M

    1 bit

    MG49PG

    GW1NR-2

    PSRAM

    32M

    8 bits

    NOR FLASH

    4M

    1 bit

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    GW1NR- 1

    GW1NR- 2

    GW1NR- 4

    GW1NR- 9

    QN88

    0.4

    10x10

    -

    -

    70(11)

    70(19)

    QN88P

    0.4

    10x10

    -

    -

    70(11)

    70(17)

    MG49P

    0.5

    3.8x3.8

    -

    30(8)

    -

    -

    MG49PG

    0.5

    3.8x3.8

    -

    30(8)

    -

    -

    MG49G

    0.5

    3.8x3.8

    -

    30(8)

    -

    -

    MG81P

    0.5

    4.5x4.5

    -

    -

    68(10)

    -

    MG100P

    0.5

    5x5

    -

    -

    -

    87(16)

    MG100PF

    0.5

    5x5

    -

    -

    -

    87(16)

    MG100PA

    0.5

    5x5

    -

    -

    -

    87(17)

    MG100PT

    0.5

    5x5

    -

    -

    -

    87(17)

    MG100PS

    0.5

    5x5

    -

    -

    -

    87(17)

    LQ144P

    0.5

    20x20

    -

    -

    -

    120(20)

    EQ144G

    0.5

    20x20

    112

    -

    -

    -

    FN32G

    0.4

    4x4

    26

    -

    -

    -

    QN32X

    0.5

    5x5

    22

    -

    -

    -

    QN48X

    0.5

    7x7

    39

    -

    -

    -

    LQ100G

    0.5

    14x14

    79

    -

    -

    -





    器件

    GW1NS- 4

    GW1NS- 4C

    逻辑单元(LUT4)

    4,608

    4,608

    寄存器(FF)

    3,456

    3,456

    块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

    180K

    180K

    块状静态随机存 储器 B-SRAM(个)

    10

    10

    乘法器(18 x 18 Multiplier)

    16

    16

    用户闪存- bits

    256K

    256K

    锁相环(PLLs)

    2

    2

    OSC

    1,精度 ±5%

    1,精度 ±5%

    硬核处理器

    -

    Cortex- M3

    I/O Bank 总数

    4

    4

    最多用户 I/O

    106

    106

    核电压

    1.2V

    1.2V

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    GW1NS- 4

    GW1NS- 4C

    CS49

    0.4

    2.9x2.9

    42(8)

    42(8)

    QN48

    0.4

    6x6

    38(4)

    38(4)

    MG64

    0.5

    4.2x4.2

    57(8)

    57(8)

    QN32

    0.5

    5x5

    -

    23(1)

     

    注:封装前带“C”的器件内嵌硬核处理器,封装前不带“C”的器件不支持硬核处理器。

    注:JTAGSEL_N 和 JTAG 管脚是互斥管脚,如果 JTAGSEL_N 管脚封装出来,最多用户 I/O 数量减 1 个。




    器件

    GW1NSR- 4

    GW1NSR- 4C

    逻辑单元(LUT4)

    4,608

    4,608

    寄存器(FF)

    3,456

    3,456

    块状静态随机存 储器
    B-SRAM(bits)

    180K

    180K

    块状静态随机存 储器
    B-SRAM(个)

    10

    10

    乘法器(18 x 18 Multiplier)

    16

    16

    用户闪存- bits

    256K

    256K

    PSRAM(bits)

    64M

    64M

    HyperRAM(bits)

    -

    64M

    NOR FLASH (bits)

    -

    32M

    锁相环(PLLs)

    2

    2

    OSC

    1,精度 ±5%

    1,精度 ±5%

    硬核处理器

    -

    Cortex- M3

    I/O Bank 总数

    4

    4

    最多用户 I/O

    106

    106

    核电压

    1.2V

    1.2V

    器件

    封装

    Memory 类 型

    容量

    位宽

    GW1NSR-4

    MG64P

    PSRAM

    64Mb

    16 bits

    GW1NSR- 4C

    MG64P

    PSRAM

    64Mb

    16 bits

    QN48P

    HyperRAM

    64MB

    8 bits

    QN48G

    NOR FLASH

    32Mb

    1 bit

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    GW1NSR- 4

    GW1NSR- 4C

    QFN48P

    0.4

    6x6

    -

    39(4)

    MG64P

    0.5

    4.2x4.2

    55(8)

    55(8)

    QFN48G

    0.4

    6x6

    -

    39(4)




    器件

    GW1NSE- 4C

    逻辑单元(LUT4)

    4,608

    寄存器(FF)

    3,456

    块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

    180K

    块状静态随机存储器 数目 B-SRAM(个)

    10

    分布式静态随机 存储器 S-SRAM(bits)

    0

    用户闪存(bits)

    256

    18X18乘法器

    16

    锁相环(PLLs)

    2

    OSC

    1,+/-5% accuracy

    硬核处理器

    Cortex- M3

    I/O Banks

    3

    核电压

    1.2V

    最多用户 I/O

    106

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    GW1NSE- 4C

      QN48

    0.4

    6x6

    -

      LQ144

    0.5

    20x20

    -


    器件

    GW1NSER- 4C

    逻辑单元(LUT)

    4,608

    寄存器(FF)

    3,456

    块状静态随机存 储器 B-SRAM(bits)

    180K

    块状静态随机存 储器 B-SRAM(个)

    10

    用户闪存- bits

    256K

    HyperRAM(bits)

    64M

    NOR FLASH (bits)

    32M

    乘法器(18x18 Multiplier)

    16

    锁相环(PLLs)

    2

    I/O Bank 总数

    4

    最多用户 I/O

    106

    OSC

    1,精度 ±5%

    硬核处理器

    Cortex- M3

    核电压

    1.2V

    器件

    封装

    Memory 类 型

    容量

    位宽

    GW1NSER- 4C

    QN48P

    HyperRAM

    64Mb

    8 bits

    QN48G

    NOR Flash

    32Mb

    1 bit

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    GW1NSER- 4C

    QN48P

    0.4

    6x6

    38(4)

    QN48G

    0.4

    6x6

    38(4)





    器件

    GW1NRF-4B

    逻辑单元(LUT4)

    4606

    寄存器(FF)

    3456

    块状静态随机存储器 B-SRAM(bits)

    180K

    块状静态随机存储器 B-SRAM(个)

    10

    用户闪存-bits

    256K

    18X18乘法器

    16

    PLLs

    2

    I/O Bank总数

    4

    最大I/O数

    25

    硬核处理器

    ARC EM4

    内存模块

    136KB ROM
    48KB IRAM
    28KB DRAM
    128KB OTP

    射频模块

    蓝牙 5.0 低功耗

    安全加密模块

    AES 硬核加密 TRNG 密钥生成器

    低功耗模块

    电源管理模块
    DCDC 转换器

    核电压(LV)

    1.2V

    核电压(UV)

    1.8V/2.5V/3.3V

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    GW1NRF- 4B

    QFN48

    0.4

    6x6

    25(4)

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      1.4
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      PDF
      ER172
      1.0E
      2021 / 03 / 30
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      参考设计

      晨熙家族

      基于GoAI的边缘设备全栈人工智能开发


      ▲ 包括一个AI加速器,此加速器的性能相比独立的MCU方案提高78倍

      ▲ 包括将Caffe或Tensorflow等常用开发工具中的训练模型导入到俄罗斯专享会芯片所需的工具


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      晨熙家族

      基于俄罗斯专享会半导体可编程逻辑器件的MIPI接口匹配方案


      ▲ 符合标准《MIPI Alliance Standard for DPHY Specification》版本1.1

      ▲ MIPI CSI2 和 DSI, RX 和 TX 器件接口


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      晨熙家族

      基于俄罗斯专享会半导体可编程逻辑器件的DDR2&DDR3硬件设计参考手册


      ▲ 包含I/O 分配、原理图设计、电源网络设计、 PCB 走线、参考平面设计、仿真等


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      晨熙家族

      基于俄罗斯专享会半导体GW1N-4芯片的DUAL BOOT下载方案


      ▲ 包含外部Flash下载及内部Flash下载


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      晨熙家族

      基于俄罗斯专享会半导体可编程逻辑器件的RISC-V方案


      ▲ 包含一个32-bit的RISC-V微处理器和系统外设。



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