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    晨熙家族
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    3、在本条款规定范围内,广东俄罗斯专享会半导体科技股份有限公司拥有最终解释权。

    特性
    产品参数
    文档
    参考设计
    设计资源
    购买咨询
    晨熙家族
    特性

    俄罗斯专享会半导体 GW2A 系列 FPGA 产品是俄罗斯专享会半导体晨熙®家族第一代产品, 内部资源丰富,具有高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2A 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。


    俄罗斯专享会半导体 GW2A 系列 FPGA 产品(车规级)是俄罗斯专享会半导体晨熙®家族第一代产品,内部资源丰富,具有高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 BSRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm工艺使GW2A系列FPGA产品(车规级)适用于高速低成本的应用场合。


    俄罗斯专享会半导体 GW2AR 系列 FPGA 产品是俄罗斯专享会半导体晨熙®家族第一代产品,是一款系统级封装芯片,在GW2A系列基础上集成了丰富容量的SDRAM存储芯片,同时具有 GW2A 系列高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及55nm 工艺使 GW2AR 适用于高速低成本的应用场合。


    俄罗斯专享会半导体 GW2AN 系列 FPGA 产品是俄罗斯专享会半导体晨熙®家族第一代具有非易失性的 FPGA 产品,内部资源丰富,高速 LVDS 接口以及丰富的BSRAM 存储器资源、NOR Flash 资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA架构以及 55nm 工艺使 GW2AN 系列 FPGA 产品适用于高速低成本的应用场合。



    俄罗斯专享会半导体 GW2ANR 系列 FPGA 产品是俄罗斯专享会半导体晨熙®家族第一代具有非易失性的 FPGA 产品,是一款系统级封装、具有非易失性的 FPGA 产品,在 GW2A 系列基础上集成了丰富容量的 SDRAM 及 NOR Flash 存储芯片,同时具有 GW2A系列高性能的 DSP 资源,高速 LVDS 接口以及丰富的 B-SRAM 存储器资源,这些内嵌的资源搭配精简的 FPGA 架构以及 55nm 工艺使 GW2ANR 适用于高速低成本的应用场合。



    晨熙家族




    优势
    特性
    低功耗

    -   55nm SRAM 工艺

    -   核电压:1.0V

    -   支持时钟动态打开/关闭

    支持多种I/O 电平标准

    -   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15 HSTL18 I, II, HSTL15 I PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

    -   提供输入信号迟滞选项

    -   支持4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

    -   提供输出信号驱动电流选项

    -   对每个I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain 输出选项

    -   支持热插拔

    高性能 DSP 模块

    -   高性能数字信号处理能力

    -   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits 的乘法运算和54bits 累加器

    -   支持多个乘法器级联

    -   支持寄存器流水线和旁路功能

    -   预加运算实现滤波器功能

    -   支持桶形移位寄存器

    丰富的基本逻辑单元

    -   4 输入LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器和分布式存储器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    灵活的 PLL 资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    编程配置模式

    -   支持JTAG 配置模式

    -   支持4 种GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

    -   支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash,其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash

    -   支持数据流文件加密和安全位设置

    优势
    特性
    低功耗

    -   55nm SRAM 工艺

    -   核电压:1.0V

    -   支持时钟动态打开/关闭

    支持多种I/O 电平标准

    -   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15 HSTL18 I, II, HSTL15 I PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

    -   提供输入信号迟滞选项

    -   支持4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

    -   提供输出信号驱动电流选项

    -   对每个I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain 输出选项

    -   支持热插拔

    高性能 DSP 模块

    -   高性能数字信号处理能力

    -   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits 的乘法运算和54bits 累加器

    -   支持多个乘法器级联

    -   支持寄存器流水线和旁路功能

    -   预加运算实现滤波器功能

    -   支持桶形移位寄存器

    丰富的基本逻辑单元

    -   4 输入LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器和分布式存储器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    -   支持字节写使能

    灵活的 PLL 资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    编程配置模式

    -   支持JTAG 配置模式

    -   支持4 种GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

    -   支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash,其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash

    -   支持数据流文件加密和安全位设置

    优势
    特性

    低功耗

    -   55nm SRAM 工艺

    -   核电压:1.0V

    -   支持时钟动态打开/关闭


    集成 SDRAM 系统级封装芯片



    支持多种 I/O 电平标准

    -   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15;
        HSTL18 I, II, HSTL15 I;PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE,
        MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

    -   提供输入信号迟滞选项

    -   支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

    -   提供输出信号驱动电流选项

    -   对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

    -   支持热插拔

    高性能DSP模块

    -   高性能数字信号处理能力

    -   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

    -   支持多个乘法器级联

    -   支持寄存器流水线和旁路功能

    -   预加运算实现滤波器功能

    -   支持桶形移位寄存器

    丰富的基本逻辑单元

    -   4输入LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器和分布式存储器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    灵活的PLL资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    编程配置模式

    -   支持JTAG配置模式

    -   支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

    -   支持数据流文件加密和安全位设置

    优势
    GW2AN-9X GW2AN-18X 特性

    低功耗

    -   55nm SRAM 工艺

    -   LV版本:支持1.0V核电压

    -   EV版本:支持1.2V核电压

    -   UV版本:支持2.5V及3.3V核电压

    -   支持时钟动态打开/关闭

    支持多种I/O电平标准


    -   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15;

    -   HSTL18 I, II, HSTL15 I;PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE

    -   MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

    -   提供输入信号迟滞选项

    -   支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

    -   提供输出信号驱动电流选项

    -   对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项

    -   支持热插拔

    丰富的基本逻辑单元

    -   4 输入 LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器和分布式存储器

    集成 NOR FLASH 存储芯片


    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    -   支持字节写使能

    灵活的PLL资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    编程配置模式

    -   支持JTAG配置模式

    -   支持 5 种 GowinCONFIG 配置模式:Autoboot、SSPI、CPU、I2C、SERIAL

    -   支持 I2C 透明升级、支持 SSPI 透明升级

    -   支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash,其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash

    -   支持数据流文件加密和安全位设置

    优势
    GW2AN-55 特性

    低功耗

    -   55nm SRAM 工艺

    -   核电压:1.0V

    -   支持时钟动态打开/关闭

    支持多种I/O电平标准


    -   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15;

    -   HSTL18 I, II, HSTL15 I;PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE

    -   MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

    -   提供输入信号迟滞选项

    -   支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力

    -   提供输出信号驱动电流选项

    -   对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项

    -   支持热插拔

    集成 NOR FLASH 存储芯片


    高性能 DSP 模块

    -   高性能数字信号处理能力

    -   支持 9 x 9,18 x 18,36 x 36bit 的乘法运算和 54bit 累加器

    -   支持多个乘法器级联

    -   支持寄存器流水线和旁路功能

    -   预加运算实现滤波器功能

    -   支持桶形移位寄存器

    丰富的基本逻辑单元

    -   4 输入 LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器和分布式存储器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    灵活的PLL资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    编程配置模式

    -   支持JTAG配置模式

    -   支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

    -   支持 JTAG、SSPI 模式直接编程 SPI Flash,其他模式可以通过 IP的方式编程 SPI Flash

    -   支持数据流文件加密和安全位设置

    优势
    特性

    低功耗

    -   55nm SRAM 工艺

    -   核电压:1.0V

    -   支持时钟动态打开/关闭


    集成 SDRAM 系统级封装芯片




    集成 NOR FLASH 存储芯片



    支持多种 I/O 电平标准

    -   LVCMOS33/25/18/15/12;LVTTL33,SSTL33/25/18 I, II, SSTL15;
        HSTL18 I, II, HSTL15 I;PCI, LVDS25, RSDS, LVDS25E, BLVDSE,
        MLVDSE, LVPECLE, RSDSE

    -   提供输入信号迟滞选项

    -   支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

    -   提供输出信号驱动电流选项

    -   对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

    -   支持热插拔

    高性能DSP模块

    -   高性能数字信号处理能力

    -   支持9 x 9,18 x 18,36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

    -   支持多个乘法器级联

    -   支持寄存器流水线和旁路功能

    -   预加运算实现滤波器功能

    -   支持桶形移位寄存器

    丰富的基本逻辑单元

    -   4输入LUT(LUT4)

    -   支持移位寄存器和分布式存储器

    支持多种模式的静态随机存储器

    -   支持双端口、单端口以及伪双端口模式

    灵活的PLL资源

    -   实现时钟的倍频、分频和相移

    -   全局时钟网络资源

    编程配置模式

    -   支持JTAG配置模式

    -   支持 4 种 GowinCONFIG 配置模式:SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

    -   支持数据流文件加密和安全位设置

    产品参数

    器件

    GW2A-18

    GW2A-55

    逻辑单元(LUT4)

    20,736

    54,720

    寄存器(FF)

    15,552

    41,040

    分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)

    41,472

    109,440

    块状静态随机存储器B-SRAM(bits)

    828K

    2,520K

    块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)

    46

    140

    乘法器(18x18 Multiplier)

    48

    40

    锁相环(PLLs)

    4

    6

    I/O Bank 总数

    8

    8

    最多用户 I/O

    384

    608

    核电压

    1.0V

    1.0V

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2A-18

    GW2A-55

    QN88

    0.4

    10x10

    6.74x6.74

    66(22)

    -

    LQ144

    0.5

    20x20

    -

    119(34)

    -

    EQ144

    0.5

    20x20

    9.74x9.74

    119(34)

    -

    MG196

    0.5

    8x8

    -

    114(39)

    -

    PG256

    1.0

    17x17

    -

    207(73)

    -

    PG256S

    1.0

    17x17

    -

    192(72)

    -

    PG256SF

    1.0

    17x17

    -

    192(71)

    -

    PG256C

    1.0

    17x17

    -

    190(64)

    -

    PG256CF

    1.0

    17x17

    -

    190(65)

    -

    PG256E

    1.0

    17x17

    -

    162(29)

    -

    PG484

    1.0

    23x23

    -

    319(78)

    319(76)

    PG1156

    1.0

    35x35

    -

    -

    607(96)

    UG324

    0.8

    15x15

    -

    239(90)

    239(86)

    UG324F

    0.8

    15x15

    -

    -

    239(86)

    UG324D

    0.8

    15x15

    -

    -

    239(71)

    UG484

    0.8

    19x19

    -

    379(94)

    -

    UG484S

    0.8

    19x19

    -

    -

    344(91)

    UG676

    0.8

    21x21

    -

    -

    525(97)




     

    器件

    GW2A-18(车规级)

    GW2A-55(车规级)

    逻辑单元(LUT4)

    20736

    54720

    寄存器(FF)

    15552

    41040

    分布式静态随机存储器 SSRAM(bits)

    41472

    109440

    块状静态随机存储器 BSRAM(bits)

    828K

    2,520K

    块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)

    46

    140

    乘法器(18x18 Multiplier)

    48

    40

    最多锁相环(PLLs)[1]

    4

    6

    I/O Bank总数

    8

    8

    最大I/O数

    384

    608

    核电压

    1.0V

    1.0V

    封装

    器件

    可用的PLL

    QN88

    GW2A-18(车规级)

    PLLL1/PLLR1

    PG256

    GW2A-18(车规级)

    PLLL/PLLR

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2A-18(车规级)

    GW2A-55(车规级)

    QN88

    0.4

    10 x10

    6.74 x 6.74

    66(22)

    PG256

    1

    17 x 17

    207(73)

    注:[1] 不同封装支持的锁相环数量不同,最多支持6个锁相环。




     

      器件

    GW2AR-18

      逻辑单元(LUT4)

    20,736

      寄存器(FF)

    15,552

      分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)

    41,472

      块状静态随机存储器B-SRAM(bits)

    828K

      块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)

    46

      SDR/DDR SDRAM(bits)

    64M/128M

      PSRAM(bits)

    64M

      乘法器(18X18 Multiplier)

    48

      锁相环(PLLs)

    4

      I/O Bank总数

    8

      最多用户I/O

    384

      核电压

    1.0V

    封装

    器件

    Memory类型

    位宽

    容量

    可用PLL

    LQ144[1]

    GW2AR-18

    SDR SDRAM

    32 bits

    64M bits

    PLLL0/PLLL1/PLLR0/PLLR1

    EQ144[1]

    GW2AR-18

    SDR SDRAM

    32 bits

    64M bits

    EQ144P[1][2]

    GW2AR-18

    PSRAM

    16 bits

    64M bits

    EQ144PF[1][2]

    GW2AR-18

    PSRAM

    16 bits

    64M bits

    QN88

    GW2AR-18

    SDR SDRAM

    32 bits

    64M bits

    PLLL1/PLLR1

    QN88P[2]

    GW2AR-18

    PSRAM

    16 bits

    64M bits

    QN88PF[2]

    GW2AR-18

    PSRAM

    16 bits

    64M bits

    LQ176

    GW2AR-18

    DDR SDRAM

    16 bits

    128M bits

    PLLL1/PLLR0/PLLR1

    EQ176

    GW2AR-18

    DDR SDRAM

    16 bits

    128M bits

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2AR-18

    LQ144

    0.5

    20x20

    -

    120(35)

    EQ144

    0.5

    20x20

    9.74 x 9.74

    120(35)

    EQ144P

    0.5

    20x20

    9.74 x 9.74

    120(35)

    EQ144PF

    0.5

    20x20

    9.74 x 9.74

    120(35)

    QN88

    0.4

    10x 10

    6.74 x 6.74

    66(22)

    QN88P

    0.4

    10x 10

    6.74 x 6.74

    66(22)

    QN88PF

    0.4

    10x 10

    6.74 x 6.74

    66(22)

    LQ176

    0.4

    20x20

    -

    140(45)

    EQ176

    0.4

    20x20

    6x6

    140(45)


    注:[1] LQ144封装和EQ144 / EQ144P/EQ144PF封装的VCCPLLL1与VCC内部短接在一起,详细信息请参考封装手册。

           [2] 'P'表示PSRAM;'F'表示与QN88P/EQ144P相比,QN88PF/EQ144PF调整了部分管脚




     

      器件

    GW2ANR-18

      逻辑单元(LUT4)

    20,736

      寄存器(FF)

    15,552

      分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)

    41,472

      块状静态随机存储器B-SRAM(bits)

    828K

      块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)

    46

      NOR FLASH(bits)

    32M

      SDR SDRAM(bits)

    64M

      乘法器(18X18 Multiplier)

    48

      最多锁相环(PLLs)

    4

      I/O Bank总数

    8

      最多用户I/O

    384

      核电压

    1.0V

    封装

    器件

    Memory类型

    位宽

    容量

    可用PLL

    QN88

    GW2ANR-18

    SDR SDRAM

    32 bits

    64M bits

    PLLL1/PLLR1

    NOR FLASH

    1 bit

    32M bits

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2ANR-18

    QN88:QFN

    0.4

    10x10

    6.74x6.74

    66(22)

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2ANR-18

    UG676

    0.8

    21x21

    -

    525(97)






    器件

    GW2AN-9X

    GW2AN-18X

    逻辑单元(LUT4)

    10368

    20736

    寄存器/锁存器(Registers/Latches)

    7776

    15552

    分布式静态随机存储器 BSRAM(bits)

    41472

    41472

    块状静态随机存储器 BSRAM(bits)

    540K

    540K

    块状静态随机存储器数目 BSRAM(个)

    30

    30

    NOR Flash

    16M bit

    16M bit

    最多锁相环(PLLs)

    2

    2

    Global Clock

    8

    8

    High Speed Clock

    8

    8

    LVDS (Mb/s)

    1250

    1250

    MIPI (Mb/s)

    1200

    1200

    I/O Bank总数

    9

    9

    最大I/O数

    TBD

    384

    核电压(LV版本)

    1.0V

    1.0V

    核电压(EV版本)

    1.2V

    1.2V

    核电压(UV版本)

    2.5V/3.3V

    2.5V/3.3V

    封装

    器件

    可用的PLL

    PG256

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    UG256

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    UG324

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    UG332

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    UG400

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    UG484

    GW2AN-18X

    PLLL/PLLR

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2AN-9X

    GW2AN-18X

    UG484

    0.8

    19 x 19

    383(96)

    393(96)

    UG400

    0.8

    17 x 17

    335(95)

    335(95)

    UG256

    0.8

    14 x 14

    207(86)

    207(86)

    PG256

    1

    17 x 17

    207(86)

    207(86)

    UG332

    0.8

    17 x 17

    -

    279(82)

    UG324

    0.8

    15 x 15

    279(74)

    279(74)

    PG484

    1

    23 x 23

    -

    381(96)

    注:文档中GW2AN系列FPGA产品封装命名采用缩写的方式,请参考5.1器件命名;
    JTAGSEL_N和JTAG管脚是互斥管脚,JTAGSEL_N引脚和JTAG下载的4个引脚(TCK、TDI、TDO、TMS)不可同时复用为I/O,此表格的数据为JTAG下载的4个引脚复用为I/O时的情况。详细信息请参考GW2AN系列FPGA产品封装与管脚手册


      器件

    GW2AN-55

      逻辑单元(LUT4)

    54,720

      寄存器(FF)

    41,040

      分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)

    109,440

      块状静态随机存储器B-SRAM(bits)

    2,520K

      块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)

    140

      NOR FLASH(bits)

    32M

      乘法器(18X18 Multiplier)

    40

      最多锁相环(PLLs)

    6

      I/O Bank总数

    8

      最多用户I/O

    608

      核电压

    1.0V

    封装

    器件

    可用PLL

    UG676

    GW2AN-55

    PLLL/PLLR

    封装

    间距(mm)

    尺寸(mm)

    E-pad尺寸(mm)

    GW2AN-55

    UG676

    0.8

    21x21

    -

    525(111)

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      1.4
      2022 / 07 / 15
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      参考设计

      晨熙家族

      基于俄罗斯专享会半导体FPGA的MIPI接口匹配方案


      ▲ 符合标准《MIPI Alliance Standard for DPHY Specification》版本1.1。

      ▲ MIPI CSI2 和 DSI, RX 和 TX 器件接口。


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      晨熙家族

      基于俄罗斯专享会半导体FPGA的RISC-V方案


      ▲ 包含一个32-bit的RISC-V微处理器和系统外设。



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